声明

本文是学习GB-T 12963-2014 电子级多晶硅. 而整理的学习笔记,分享出来希望更多人受益,如果存在侵权请及时联系我们

1 范围

本标准规定了多晶硅的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单

(或合同)内容。

本标准适用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。

2 规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文

件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法

GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

GB/T 4059 硅多晶气氛区熔基磷检验方法

GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验方法

GB/T 4061 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

GB/T 13389 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

GB/T 14264 半导体材料术语

GB/T 24574 硅单晶中Ⅲ-V 族杂质的光致发光测试方法

GB/T 24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、V
族杂质含量的测试方法

GB/T 24582 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质

3 术语和定义

GB/T14264 界定的术语和定义适用于本文件。

4 要求

4.1 产品牌号及类别

4.1.1 电子级多晶硅的牌号表示为:

style="width:3.16004in;height:1.84008in" />PSi—

阿拉伯数字表示多晶硅等级

多晶硅形状,I 为棒状,N 为块状

多晶硅

4.1.2 电子级多晶硅按外形分为块状多晶硅和棒状多晶硅,根据导电类型分为 N
型和 P 型,根据纯度

GB/T 12963—2014

的差别分为3级。

4.2 等级

电子级多晶硅的等级及相关技术指标应符合表1的规定。

1 电子级多晶硅等级及技术要求

项 目

技术指标要求

电子1级

电子2级

电子3级

施主杂质浓度,10-9

≤0.15

≤0.25

≤0.30

受主杂质浓度,10-9

≤0.05

≤0.08

≤0.10

少数载流子寿命

μS

≥1000

≥1000

≥500

碳浓度

atoms/cm³

<4.0×1015

<1.0×1016

<1.5×101

氧浓度

atoms/cm³

≤1×10¹6

基体金属杂质浓度,10-9

Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na

总金属杂质含量:≤1.0

Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na

总金属杂质含量:≤1.5

Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na

总金属杂质含量:≤2.0

表面金属杂质浓度,10-9

Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Al、K、Na

总金属杂质含量:≤5.5

Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Al、K、Na

总金属杂质含量:≤10.5

Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Al、K、Na

总金属杂质含量:≤15

电阻率值由供需双方协商确定。

4.3 尺寸及允许偏差

4.3.1 块状多晶硅具有无规则的形状和随机尺寸分布,其线性尺寸最小为6
mm, 最大为150 mm。

4.3.2 块状多晶硅的尺寸分布范围应满足:

a) 6 mm~25 mm 的最多占重量的15%;

b) 25 mm~50 mm 的占重量的15%~35%;

c) 50 mm~150 mm 的最少占重量的65%。

4.3.3 块状多晶硅的具体尺寸要求可由供需双方协商确定。

4.3.4 棒状多晶硅的直径及长度由供需双方协商确定,其直径允许偏差≤5%。

4.4 结构

多晶硅应无氧化夹层。

4.5 外观质量

4.5.1 多晶硅表面结构应致密、平整(断面边缘颗粒不大于3 mm)。

4.5.2 多晶硅的外观应无色斑、变色及可见的污染物。

5 试验方法

5.1 多晶硅导电类型检验按 GB/T 1550 的规定进行。

GB/T 12963—2014

5.2 多晶硅中的施主杂质浓度、受主杂质浓度的测试按 GB/T 24574、GB/T
24581或 GB/T 13389 的 规定进行。

5.3 多晶硅少数载流子寿命测试按 GB/T1553 的规定进行。

5.4 多晶硅中碳浓度测试按GB/T 1558、GB/T 24581 的规定进行。

5.5 多晶硅中氧浓度测试按GB/T 1557 的规定进行。

5.6 多晶硅基体金属杂质浓度的测试方法由供需双方协商确定。

5.7 多晶硅表面金属杂质浓度的测试按GB/T 24582 的规定进行。

5.8 多晶硅基磷电阻率检验按GB/T 4059 的规定进行。

5.9 多晶硅基硼电阻率检验按GB/T 4060 的规定进行。

5.10
块状多晶硅、棒状多晶硅的尺寸及允许偏差用相应精度的量具测量,或由供需双方商定的方法
检验。

5.11 多晶硅氧化夹层的检验按 GB/T 4061 的规定进行。

5.12 多晶硅的外观质量用目视检查。

6 检验规则

6.1 检查和验收

6.1.1
产品应由供方质量监督部门进行检验,保证产品质量符合本标准及合同的规定,并填写产品质
量证明书。

6.1.2
需方可对收到的产品进行检验。若检验结果与本标准或合同的规定不符时,应在收到产品之日
起3个月内向供方提出,由供需双方协商解决。

6.2 组批

产品应成批提交验收,每批应有同一牌号、具有相同纯度等级和特性,以类似工艺生产并可追溯生

产条件的同一反应炉次的多晶硅组成。

6.3 检验项目

每批产品应进行施主杂质浓度、受主杂质浓度、碳浓度、氧浓度、尺寸及允许偏差、结构、外观质量的
检验。导电类型、少数载流子寿命、电阻率、基体金属杂质浓度、表面金属杂质浓度的检验由供需双方

协商。

6.4 取样与制样

6.4.1 供方取样、制样时,基磷电阻率、基硼电阻率的取样、制样按 GB/T
4059 、GB/T 4060 进行,断面 氧化夹层取样、制样按GB/T
4061进行。仲裁抽样方案由供需双方商定。

6.4.2
导电类型、施主杂质浓度、受主杂质浓度、少数载流子寿命、碳浓度、氧浓度、尺寸及允许偏差、外
观质量、基体金属杂质含量、表面金属杂质含量的取样由供需双方协商确定。

6.5 检验结果的判定

6.5.1
多晶硅的等级由施主杂质浓度、受主杂质浓度、碳浓度、氧浓度、表面金属杂质浓度、基体金属杂
质浓度判定。在判定项目中若检验结果有一项不合格,则加倍取样对该不合格的项目进行重复试验。
对重复试验结果仍不合格的产品,则判该批产品不合格。

6.5.2
导电类型、少数载流子寿命、电阻率、尺寸及允许偏差、结构、外观质量检验结果的判定由供需双
方协商确定。

GB/T 12963—2014

7 标志、包装、运输、贮存及质量证明书

7.1 标志

包装箱外应标有"小心轻放"及"防腐、防潮"字样或标志、并说明:

a) 需方名称;

b) 产品名称、牌号;

c) 产品发货件数、净重;

d) 供方名称。

7.2 包装

多晶硅经过洁净处理后,装入高纯洁净的聚乙烯包装袋内,密封。包装时应防止聚乙烯包装袋破
损,以避免产品外来沾污,并按最佳方法提供良好保护,装入外包装箱。多晶硅的包装也可由供需双方
协商决定。

7.3 运输

产品在运输过程中应轻装轻卸,勿压勿挤,并采取防震措施。

7.4 贮 存

产品应贮存在清洁、干燥环境中。

7.5 质量证明书

每批产品应附有质量证明书,其上注明:

a) 供方名称;

b) 产品名称及牌号;

c) 产品批号;

d) 产品毛重、净重;

e) 各项检验结果及检验部门印记;

f) 本标准编号;

g) 出厂日期。

8 订货单(或合同)内容

订购本标准所规范产品的订货单内应包括下列内容:

a) 产品名称、牌号;

b) 本标准编号;

c) 本标准中由供需双方协商的内容;

d) 其他。

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